Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (316)

DSS4160T-7 Биполярный транзистор NPN 60В 1A SOT23 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 725 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

DSS4240T-7 TRANS NPN 40V 2A SOT-23 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 600 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

DSS4540X-13 TRANS NPN 40V 4A SOT89-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 900 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 70 МГц

Сообщить о поступлении

DSS5140V-7 TRANS PNP 40V 1A SOT-563 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 600 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

DSS5160T-7 Биполярный транзистор PNP 60В 1A SOT23 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 725 мВт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

DSS5240T-7 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 600 мВт Коэффициент усиления hFE: 210 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

DSS5320T-7 TRANS PNP 20V 2A SOT23 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 600 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 180 МГц

Сообщить о поступлении

DSS60601MZ4-13 Биполярный транзистор NPN 60В 6A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 1200 мВт Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

DST3904DJ-7 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT963 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-963 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 0.2 А Мощность Макс.: 300 мВт

Сообщить о поступлении

DXT13003DG-13 TRANS NPN 450V 1.3A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 450 В Ток коллектора Макс.: 1.3 А Мощность Макс.: 700 мВт Коэффициент усиления hFE: 16 @ 500mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

DXT3904-13 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

DXTA42-13 TRANS NPN 300V 0.5A SOT89-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

DXTP19020DP5-13 TRANS PNP 20V 8A POWERDI5 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: PowerDI[тм] 5 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 3 Вт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 176 МГц

Сообщить о поступлении

DZT2222A-13 TRANS NPN 40V 0.6A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

DZT2907A-13 TRANS PNP 60V 0.6A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 150mA, 10V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

DZT5551-13 Биполярный транзистор NPN 160В 0.6A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

FCX1053ATA TRANS NPN 75V 3A SOT-89 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 75 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 140 МГц

Сообщить о поступлении

FCX493TA Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

FCX558TA Биполярный транзистор, PNP, 400 В, 0.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

FCX658ATA TRANS NPN 400V 0.5A SOT-89 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 35 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении