Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (316)

BCX5510TA Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 63 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

BCX5516TA Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

15 701 шт

Цена от:

от 4,41₽

BCX55TA Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

735 шт.

Цена от:

от 6,79₽

BCX5616QTA Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

BCX5616TA Биполярный транзистор NPN 80В 1A SOT-89 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

BCX6825TA Биполярный транзистор NPN 20В 1A SOT-89 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 1 А Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

BSR33TA TRANS PNP 80V 1A SOT-89 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BSR43TA Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

885 шт

Цена от:

от 14,70₽

DMJT9435-13 TRANS PNP 30V 3A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.2 Вт Коэффициент усиления hFE: 110 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 160 МГц

Сообщить о поступлении

DMMT3904W-7-F Биполярный транзистор сборка 2 NPN 40В 0.2A SOT363 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 0.2 А Мощность Макс.: 0.2 Вт

Сообщить о поступлении

DMMT3904WQ-7-F Транзистор общего применения биполярный NPN 40В 0.2A 200мВт 6-Pin SOT-363 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363

Сообщить о поступлении

DN350T05-7 Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

DNBT8105-7 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 600 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

DNLS350Y-13 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 3A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 3 А

Сообщить о поступлении

DP350T05-7 Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 0.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

DPBT8105-7 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 600 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

DPLS160V-7 TRANS PNP 60V 1A SOT-563 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 220 МГц

Сообщить о поступлении

DPLS350Y-13 Биполярный транзистор PNP 50В 3A SOT89-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

DSS20200L-7 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 600 мВт Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

DSS20201L-7 Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 600 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении