Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (316)

BCP5510TA TRANS NPN 60V 1A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 63 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

BCP5516TA Биполярный транзистор NPN 60В 1A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 150mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

45 432 шт

Цена от:

от 3,73₽

BCP55TA Биполярный транзистор NPN 60В 1A SOT223-4 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 299 шт

Цена от:

от 9,71₽

BCP5616QTA Транзистор биполярный NPN 80В 1A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 150mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

60 361 шт

Цена от:

от 4,01₽

BCP5616QTC Производитель: Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

Акция

BCP5616TA Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 2Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

60 361 шт

Цена от:

от 4,01₽

BCP5616TC Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

60 361 шт

Цена от:

от 4,01₽

BCV47TA Биполярный транзистор NPN Дарлингтона 60В 0.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 330 мВт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 170 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

11 456 шт

Цена от:

от 2,78₽

BCW68HTA Биполярный транзистор PNP 45В 0.8A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 330 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

BCX38C Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 0.8 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

BCX41TA Биполярный транзистор NPN 125В 0.8A SOT23 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 125 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 330 мВт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

21 740 шт

Цена от:

от 8,11₽

BCX51TA Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 494 шт

Цена от:

от 9,68₽

BCX5210TA Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 63 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

124 шт

Цена от:

от 12,25₽

BCX5216QTA Биполярный транзистор Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

BCX52TA TRANS PNP 60V 1A SOT89 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

BCX5310TA Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 63 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

3 146 шт.

Цена от:

от 6,37₽

BCX5316TA Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

77 007 шт

Цена от:

от 2,88₽

BCX53TA Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

77 007 шт

Цена от:

от 2,88₽

BCX5410TA Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 63 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

10 370 шт

Цена от:

от 6,99₽

BCX54TA Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

4 911 шт

Цена от:

от 9,12₽