Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (316)
BC857BTQ-7 Производитель: Diodes Incorporated
BC857BV-7 TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT563 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА
BC857BW-13-F Биполярный транзистор PNP 45В 0.1A SOT323 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 723 шт
Цена от:
от 0,92
BC857BW-7-F Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 723 шт
Цена от:
от 0,92
BC857BWQ-13-F Биполярный транзистор PNP 45В 0.1A SOT323 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 723 шт
Цена от:
от 0,92
BC857C-7-F Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
200 124 шт
Цена от:
от 0,74
BC857CT-7-F TRANS PNP 45V 0.1A SOT-523 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Акция BC857CW-7-F Биполярный транзистор PNP 45В 0.1A SC70-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
96 109 шт
Цена от:
от 0,99
BC858A-7-F TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 125 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
BC858B-7-F TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 220 @ 2mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
BC858C-7-F Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 711 шт
Цена от:
от 0,75
BC858CW-7-F Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
BCP5116TA Биполярный транзистор PNP 45В 1A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 150mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 815 шт
Цена от:
от 6,38
BCP5210TA Транзистор биполярный PNP 60В 1A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 63 @ 150mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
BCP5310TA Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 63 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
BCP5316TA Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
BCP5316TC Биполярный транзистор Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Тип монтажа: Поверхностный
BCP53TA Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
BCP5416TA Транзистор биполярный NPN 45В 1A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 150mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
27 846 шт
Цена от:
от 6,63
BCP54TA Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
На странице: