Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (316)
ZXTN4004KQTC Транзистор биполярный NPN 150В 1A TO252 Производитель: Diodes Incorporated Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 1 А
ZXTN4004KTC Биполярный транзистор NPN 150В 1A TO252 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 3.8 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
ZXTN619MATA TRANS NPN 50V 4A 3-DFN Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DFN3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 3 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 165 МГц
ZXTP19100CGTA TRANS PNP 100V 2A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 3 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 142 МГц
Акция ZXTP2009ZQTA Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 5.5 А, 3 Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3
ZXTP2012ZTA Биполярный транзистор PNP 60В 4.3A SOT89 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4.3 А
ZXTP2013GTA TRANS PNP 100V 5A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 5 А
ZXTP2025FTA TRANS PNP 50V 5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 5 А
ZXTP2041FTA TRANS PNP 40V 1A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
ZXTP25020CFFTA TRANS PNP 20V 4.5A SOT23F-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23F Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 4.5 А Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 285 МГц
ZXTP25020CFHTA TRANS PNP 20V 4A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.25 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 285 МГц
ZXTP25020DFLTA Транзистор биполярный PNP 20В 1.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 @ 10mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 290 МГц
ZXTP25040DFH Транзистор биполярный PNP 40В 3А 1810мВт 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3
ZXTP25040DFLTA-01 Trans GP BJT PNP 40V 1.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3
Новинка ZXTP25100BFHTA Транзистор биполярный PNP средней мощности Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3
ZXTP720MATA TRANS PNP 40V 3A 3-DFN Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DFN3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 3 Вт Коэффициент усиления hFE: 60 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 190 МГц
На странице: