Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (316)

ZTX651 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1 Вт Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 175 МГц

Сообщить о поступлении

ZTX653 Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А, 1Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1 Вт Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 175 МГц

Сообщить о поступлении

ZTX751 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1 Вт Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 140 МГц

Сообщить о поступлении

ZTX792ASTZ Биполярный транзистор, PNP, 70 В, 2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 70 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

ZUMT618TA Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 1.25A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 1.25 А Мощность Макс.: 385 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 210 МГц

Сообщить о поступлении

ZUMT718TA Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 210 МГц

Сообщить о поступлении

ZX5T3ZTC Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 5.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3

Сообщить о поступлении

ZX5T953GTA TRANS PNP 100V 5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 5 А

Сообщить о поступлении

ZX5T955ZTA Биполярный транзистор, PNP, 140 В, 3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 140 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 120 МГц

Сообщить о поступлении

Новинка

ZXT10N50DE6TA Биполярный транзистор NPN 50В 3A SOT23-6 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-26

Сообщить о поступлении

ZXT13N50DE6TA TRANS NPN 50V 4A SOT23-6 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 115 МГц

Сообщить о поступлении

ZXTN04120HFFTA Биполярный транзистор NPN Дарлингтона 120В 1A SOT23F-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23F Тип транзистора: NPN - Darlington Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 3000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 120 МГц

Сообщить о поступлении

ZXTN07045EFFTA TRANS NPN 45V 4A SOT23F-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23F Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 4 А

Сообщить о поступлении

ZXTN08400BFFTA Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 0.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23F Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 40 МГц

Сообщить о поступлении

ZXTN2005ZQTA Производитель: Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXTN2010ZTA Биполярный транзистор NPN 60В 5A SOT89 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 5 А

Сообщить о поступлении

ZXTN2031FTA Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 1.2 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц

Сообщить о поступлении

ZXTN2038FTA TRANS NPN 60V 1A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

ZXTN25100BFHTA Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.25 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 160 МГц

Сообщить о поступлении

ZXTN25100DFHTA TRANS NPN 100V 2.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2.5 А Мощность Макс.: 1.25 Вт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 175 МГц

Сообщить о поступлении