Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (316)
MMBT2222A-7-F Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.3W Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
48 960 шт
Цена от:
от 0,94
MMBT2222ALP4-7B TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 460 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
MMBT2222AT-7-F Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Новинка MMBT2907A-7-F Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
125 746 шт
Цена от:
от 0,79
MMBT2907AQ-7-F Транзистор общего применения биполярный PNP 60В 0.6A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
125 746 шт
Цена от:
от 0,79
MMBT2907AT-7-F TRANS PNP 60V 0.6A SOT523 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
MMBT3904-13-F Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3
MMBT3904-7-F Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
163 269 шт
Цена от:
от 0,40
MMBT3904LP-7 TRANS NPN 40V 0.2A DFN1006-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 10mA, 1V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
MMBT3904Q-7-F Транзистор общего применения биполярный NPN 40В 0.2A 350мВт 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 0.35 Вт
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
163 269 шт
Цена от:
от 0,40
MMBT3904T-7-F Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
MMBT3906-7-F Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
45 249 шт
Цена от:
от 0,41
MMBT4124-7-F TRANS NPN 25V 0.2A SMD SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
MMBT4401-7-F Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SMD SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 218 230 шт
Цена от:
от 0,93
MMBT4403-7-F Биполярный транзистор PNP 40В 0.6A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
12 553 шт
Цена от:
от 0,90
MMBT5401-7-F Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.6 А, 0.3 Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 60 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
55 915 шт
Цена от:
от 0,88
MMBT5551-7-F Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
163 371 шт
Цена от:
от 0,79
MMBTA06-7-F Биполярный транзистор NPN 80В 0.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
641 шт
Цена от:
от 1,24
MMBTA06Q-7-F Транзистор общего применения биполярный NPN 80В 0.5A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 0.5 А Тип монтажа: Поверхностный
MMBTA13-7-F Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
На странице: