Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (316)

FZT757TA Транзистор биполярный PNP 300В 0.5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 @ 100mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 30 МГц

Сообщить о поступлении

FZT758TA TRANS PNP 400V 0.5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 500 мА

Сообщить о поступлении

FZT789ATA Транзистор биполярный PNP 25В 3A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 300 @ 10mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

FZT792ATA TRANS PNP 70V 2A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 70 В Ток коллектора Макс.: 2 А

Сообщить о поступлении

FZT796ATA Транзистор биполярный PNP 200В 0.5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 200 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 300 @ 10mA, 10V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

FZT849TA Транзистор биполярный NPN 30В 7A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 7 А Мощность Макс.: 3 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 1A, 1V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

FZT851TA Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6 А, 3Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 3 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 130 МГц

Сообщить о поступлении

FZT853TA Транзистор биполярный NPN 100В 6A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 3 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 2A, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 130 МГц

Сообщить о поступлении

FZT855TA TRANS NPN 150V 5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 3 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 90 МГц

Сообщить о поступлении

FZT857QTA Производитель: Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

FZT857TA Транзистор биполярный NPN 300В 3.5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 3.5 А Мощность Макс.: 3 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 500mA, 10V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 80 МГц

Сообщить о поступлении

FZT949TA Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 5.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 5.5 А Мощность Макс.: 3 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

FZT951TA TRANS PNP 60V 5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 3 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 120 МГц

Сообщить о поступлении

FZT953TA Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 5 А, 3 Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 3 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 120 МГц

Сообщить о поступлении

FZT955TA Биполярный транзистор, PNP, 180В, 4А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223

Сообщить о поступлении

FZT957TA Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 3 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 85 МГц

Сообщить о поступлении

FZT958TA Транзистор биполярный PNP 400В 0.5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 3 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 500mA, 10V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 85 МГц

Сообщить о поступлении

MJD31C-13 TRANS NPN 100V 3A DPAK Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

MJD31CQ-13 Транзистор биполярный NPN 100В 3A DPAK Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO-252 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 15 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 @ 3A, 4V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

150 шт

Цена от:

от 14,15₽

MJD32CQ-13 TRANS PNP 100V 3A TO252-3L Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

2 500 шт.

Цена от:

от 16,12₽