Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (316)
FZT651TA Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 175 МГц
FZT653QTA Производитель: Diodes Incorporated
FZT653TA Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 175 МГц
FZT653TC Транзистор биполярный NPN 100В 2A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 500mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 175 МГц
FZT655TA Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 30 МГц
FZT657TA Транзистор биполярный NPN 300В 0.5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 @ 100mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 30 МГц
FZT658TA Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 0.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц
FZT688BTA Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 4 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 400 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
Акция FZT690BTA Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
FZT692BTA TRANS NPN 70V 2A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 70 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
FZT694BTA TRANS NPN 120V 1A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 130 МГц
FZT696BTA Транзистор биполярный NPN 180В 0.5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 180 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 @ 200mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 70 МГц
FZT7053TA Транзистор биполярный NPN Дарлингтона 100В 1.5A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN - Darlington Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 6.25 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 @ 1A, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
Акция FZT705TA Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 120 В, 2 А, 2Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 3000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 160 МГц
FZT749TA Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 160 МГц
FZT751QTC Trans GP BJT PNP 60V 3A 3000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Производитель: Diodes Incorporated
FZT751TA Биполярный транзистор PNP 60В 3A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 140 МГц
FZT753QTA Биполярный транзистор Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 3 Вт
FZT753TA Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 140 МГц
FZT755TA Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 30 МГц
На странице: