Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

На корпус (5)
Сквозной (713)
Поверхностный (1383)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (316)

FMMT720TA TRANS PNP 40V 1.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 190 МГц

Сообщить о поступлении

FMMT722TA Биполярный транзистор PNP 70В 1.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 70 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

FMMT723TA Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

FMMTA14TA TRANS NPN DARL 40V 0.3A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 330 мВт Коэффициент усиления hFE: 20000 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

FMMTA42TA TRANS NPN 300V 0.2A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 330 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

FMMTA92TA Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 330 мВт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

FMMTL718TA TRANS PNP 20V 1A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 265 МГц

Сообщить о поступлении

FZT1048ATA Транзистор биполярный NPN 17.5В 5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 17.5 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 2.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 300 @ 1A, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

FZT1049ATA Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 2.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 180 МГц

Сообщить о поступлении

FZT1051ATA Транзистор биполярный NPN 40В 5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 2.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 270 @ 1A, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 155 МГц

Сообщить о поступлении

FZT1053ATA TRANS NPN 75V 4.5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 75 В Ток коллектора Макс.: 4.5 А Мощность Макс.: 2.5 Вт

Сообщить о поступлении

FZT1151ATA TRANS PNP 40V 3A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А

Сообщить о поступлении

FZT489QTA Биполярный транзистор Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223

Сообщить о поступлении

FZT491ATA Транзистор биполярный NPN 40В 1A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 300 @ 500mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

FZT491TA Транзистор биполярный NPN 60В 1A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 500mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

FZT493TA Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 250mA, 10V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

FZT560TA Биполярный транзистор, PNP, 500 В, 0.15 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 500 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 60 МГц

Сообщить о поступлении

FZT600TA Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 140 В, 2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 140 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

FZT603TA Биполярный транзистор NPN Дарлингтона 80В 2A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 5000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

FZT605TA Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 1.5 А, 2Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT223-4 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении