Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (316)

2DB1184Q-13 TRANS PNP 50V 3A DPAK Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 15 Вт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц

Сообщить о поступлении

2DB1689-7 TRANS PNP 12V 1.5A SOT-323 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 270 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

2DD1766R-13 TRANS NPN 32V 2A SOT89-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 220 МГц

Сообщить о поступлении

2DD2098R-13 TRANS NPN 20V 5A SOT89-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 220 МГц

Сообщить о поступлении

2DD2652-7 TRANS NPN 12V 1.5A SOT-323 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 270 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 260 МГц

Сообщить о поступлении

2DD2661-13 TRANS NPN 12V 2A SOT89-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 900 мВт Коэффициент усиления hFE: 270 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 170 МГц

Сообщить о поступлении

2DD2679-13 TRANS NPN 30V 2A SOT89-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 270 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 240 МГц

Сообщить о поступлении

BC807-16-7-F Биполярный транзистор PNP 45В 0.5A SOT-23 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 310 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

596 858 шт

Цена от:

от 0,88₽

BC807-25-7-F Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 310 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

145 970 шт

Цена от:

от 1,00₽

BC807-25W-7 TRANS PNP 45V 0.5A SC70-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 @ 100mA, 1V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

1 397 шт.

Цена от:

от 1,35₽

BC807-40-13-F Биполярный транзистор Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

46 751 шт.

Цена от:

от 0,95₽

BC807-40-7-F Биполярный транзистор PNP 45В 0.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 310 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

46 751 шт

Цена от:

от 0,95₽

BC807-40Q-7-F Производитель: Diodes Incorporated

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

46 751 шт

Цена от:

от 0,95₽

BC807-40W-7 Биполярный транзистор PNP 45В 0.5A SC70-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

343 226 шт

Цена от:

от 1,10₽

BC817-16-7-F Биполярный транзистор NPN 45В 0.8A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 310 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 781 069 шт

Цена от:

от 0,84₽

BC817-25-7-F Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 310 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

768 007 шт

Цена от:

от 0,73₽

BC817-25Q-7-F Производитель: Diodes Incorporated

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

768 007 шт

Цена от:

от 0,73₽

BC817-25W-7 Биполярный транзистор NPN 45В 0.5A SC70-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

9 143 шт

Цена от:

от 2,20₽

BC817-40-7-F Биполярный транзистор NPN 45В 0.8A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 310 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 493 739 шт

Цена от:

от 0,71₽

BC817-40Q-7-F Производитель: Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении