Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

317
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (317)
2DB1184Q-13 2DB1184Q-13 Биполярный транзистор PNP 50В 3A DPAK
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
50 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
15 Вт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
110 МГц
2DB1689-7 2DB1689-7 Биполярный транзистор PNP 12В 1.5A SOT-323
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
12 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
270
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
2DD1766R-13 2DD1766R-13 Биполярный транзистор NPN 32В 2A SOT89-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
32 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
180
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
220 МГц
2DD2098R-13 2DD2098R-13 Биполярный транзистор NPN 20В 5A SOT89-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
20 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
180
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
220 МГц
2DD2652-7 2DD2652-7 Биполярный транзистор NPN 12В 1.5A SOT-323
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
12 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
270
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
260 МГц
2DD2661-13 2DD2661-13 Биполярный транзистор NPN 12В 2A SOT89-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
12 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
900 мВт
Коэффициент усиления hFE:
270
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
170 МГц
2DD2679-13 2DD2679-13 Биполярный транзистор NPN 30В 2A SOT89-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
270
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
240 МГц
BC807-16-7-F BC807-16-7-F Биполярный транзистор PNP 45В 0.5A SOT-23
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
310 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
544 132 шт
Цена от:
от 0,75
BC807-25-7-F BC807-25-7-F Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
126 197 шт
Цена от:
от 0,79
BC807-25W-7 BC807-25W-7 Биполярный транзистор PNP 45В 0.5A SC70-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160 @ 100mA, 1V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
BC807-40-13-F BC807-40-13-F Биполярный транзистор
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
0 шт.

Внешние склады:
0 шт.
Аналоги:
394 865 шт.
Цена от:
от 0,72
BC807-40-7-F BC807-40-7-F Биполярный транзистор PNP 45В 0.5A SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
310 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
394 865 шт
Цена от:
от 0,72
BC807-40Q-7-F
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
394 865 шт
Цена от:
от 0,72
BC807-40W-7 BC807-40W-7 Биполярный транзистор PNP 45В 0.5A SC70-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
133 395 шт
Цена от:
от 0,93
BC817-16-7-F BC817-16-7-F Биполярный транзистор NPN 45В 0.8A SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
310 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 757 460 шт
Цена от:
от 0,60
BC817-25-7-F BC817-25-7-F Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
310 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
373 337 шт
Цена от:
от 0,64
BC817-25Q-7-F BC817-25Q-7-F
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
373 337 шт
Цена от:
от 0,64
BC817-25W-7 BC817-25W-7 Биполярный транзистор NPN 45В 0.5A SC70-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
9 055 шт
Цена от:
от 1,98
BC817-40-7-F BC817-40-7-F Биполярный транзистор NPN 45В 0.8A SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
310 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 267 090 шт
Цена от:
от 0,61
BC817-40Q-7-F
Производитель:
Diodes Incorporated
На странице: