Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (24)
2PA1774QM,315 Биполярный транзистор PNP 40В 0.1A SC101 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 430 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
2PC4617QM,315 TRANS NPN 50V 0.1A SC101 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 430 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC847AM,315 TRANS NPN 45V 0.1A SOT883 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883
BC847BL3E6327 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin TSLP T/R Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-883
BC847BLP-7 TRANS NPN 45V 0.1A 3-DFN Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC847BLP-7B TRANS NPN 45V 0.1A DFN1006-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883
BC847BLP4-7 Транзистор биполярный NPN 45В 0.1A 3-DFN Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 @ 2mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC847BM,315 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC847BMB,315 Биполярный транзистор NPN 45В 0.1A SOT883 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC847CM,315 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC847CMB,315 TRANS NPN 45V 0.1A 3DFN Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC856BMBYL Биполярный транзистор PNP 60В 0.1A автомобильного применения Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883
BC857BL3E6327 Биполярный транзистор Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-883 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В
BC857BLP4-7 Транзистор биполярный PNP 45В 0.1A 3-DFN Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 220 @ 2mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC857BM,315 TRANS PNP 45V 0.1A SOT883 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC857CM,315 TRANS PNP 45V 0.1A SOT883 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
MMBT2222ALP4-7B TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 460 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
MMBT3904LP-7 TRANS NPN 40V 0.2A DFN1006-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 10mA, 1V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
PBSS2515M,315 Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 15 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 430 мВт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 420 МГц
PBSS2540M,315 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 430 мВт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 450 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.40376 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"