Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (117)
MJD42CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А, 20Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
MJD44E3T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
MJD44H11RLG Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
13 534 шт
Цена от:
от 19,53
MJD44H11TM Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
13 534 шт.
Цена от:
от 19,95
Акция MJD45H11G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 90 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
4 707 шт
Цена от:
от 25,15
MJD45H11RLG Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
4 707 шт
Цена от:
от 29,31
MJD45H11TF Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
4 707 шт.
Цена от:
от 25,15
MJD45H11TM Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
4 707 шт.
Цена от:
от 25,15
MJD47G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 10 МГц
MJD47T4G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 10 МГц
MJD47TF Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
MJD50G Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 10 МГц
Акция MJD50T4G Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А, 15 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 10 МГц
MJD50TF Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 10 МГц
MJD5731T4G Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 10 МГц
MJD6039T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 500 Тип монтажа: Поверхностный
Акция NJD2873T4G Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.68 Вт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 65 МГц
NJD35N04G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 350 В, 4 А, 45 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 45 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 90 МГц
NJVMJD112T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
NJVMJD117T4G TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK-4 Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.40232 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"