Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (17)
2DB1184Q-13 TRANS PNP 50V 3A DPAK Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 15 Вт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
FJV1845FMTF Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 0.05 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
FMMT717TA Биполярный транзистор PNP 12В 2.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 2.5 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 @ 100mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
KSC1845FTA Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 0.05 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 110 МГц
NSS1C201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 490 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
NSV1C201LT1G TRANS NPN 100V 2A SOT23-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 490 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 @ 500mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PBSS302PD,115 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 175 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PBSS305NX,115 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 4.6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4.6 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PBSS305NZ,135 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 5.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 5.1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PBSS305PD,115 Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 145 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PBSS306NX,115 Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 4.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 4.5 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PBSS306NZ,135 Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 5.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 5.1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PBSS4041PX,115 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 5 А, 0.6Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 2.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PBSS4041PZ,115 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 5.7 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 5.7 А Мощность Макс.: 2.6 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PBSS5440D,115 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 175 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PBSS5580PA,115 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: HUSON3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 140 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PHPT60603PYX TRANS PNP 60V 3A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.25 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 @ 500mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.42 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"