Одиночные биполярные транзисторы

31
Граничная частота: 30 МГц
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (31)
TTC5200(Q) TTC5200(Q) Биполярный транзистор, NPN, 230 В, 15 А, 150 Вт, (Комплементарная пара TTA1943) (рекомендуемая замена: 2SC5200N)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
230 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
Наличие:
108 шт

Внешние склады:
604 шт
Цена от:
от 115,32
2SC3835 2SC3835 Биполярный транзистор NPN 120В 7A TO3P
Производитель:
Inchange Semiconductor Company
Корпус:
TO-3P
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
120 В
Ток коллектора Макс.:
7 А
Мощность Макс.:
70 Вт
Коэффициент усиления hFE:
70 @ 3A, 4V
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 111,06
FZT655TA FZT655TA Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
30 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 804 шт
Цена от:
от 31,38
FZT657TA FZT657TA Транзистор биполярный NPN 300В 0.5A SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50 @ 100mA, 5V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
30 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 42,42
FZT755TA FZT755TA Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
30 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 37,80
FZT757TA FZT757TA Транзистор биполярный PNP 300В 0.5A SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50 @ 100mA, 5V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
30 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 965 шт
Цена от:
от 27,06
Акция
TTA1943(Q) TTA1943(Q) Биполярный транзистор, PNP, 200 В, 15 А, 150 Вт (Комплементарная пара TTC5200) (рекомендуемая замена: 2SA1943N)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
2-21F1A
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
230 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
Наличие:
24 шт

Внешние склады:
298 шт
Цена от:
от 134,46
2N5210BU 2N5210BU Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
50 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
2N5210TFR 2N5210TFR Биполярный транзистор NPN 50В 0.1A TO-92
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
50 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
2SA1943OTU 2SA1943OTU Транзистор биполярный PNP 250В 17A TO264
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-264
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
17 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80 @ 1A, 5V
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 160 шт
Цена от:
от 115,32
2SA1962OTU 2SA1962OTU Транзистор биполярный PNP 250В 17A TO-3P
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
17 А
Мощность Макс.:
130 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80 @ 1A, 5V
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
2SA1962RTU 2SA1962RTU Транзистор биполярный PNP 250В 17A TO-3P
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
17 А
Мощность Макс.:
130 Вт
Коэффициент усиления hFE:
55 @ 1A, 5V
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
Акция
2STC5242 2STC5242 Биполярный транзистор, NPN, 230 В, 15 А, 130Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3P
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
230 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
Акция
MJE15028G MJE15028G Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 8 А, 50W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
120 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
50 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
MJE15029G MJE15029G Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 8 А, 50W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
120 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
50 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
Акция
MJE15030G MJE15030G Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
50 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
MJE15031G MJE15031G Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 8 А, 50Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
50 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
MJE15032G MJE15032G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 8 А, 50 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
MJE15033G MJE15033G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 8 А, 50 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
MJE15035G MJE15035G Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 4 А, 50 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
350 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.38446 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"