Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (21)
2SA965 Y 2SA965 Y Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 0.8 А, 0.9 Вт (Комплементарная пара 2SC2235)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-92MOD/formed
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
120 В
Ток коллектора Макс.:
0.8 А
Мощность Макс.:
0.9 Вт
Граничная частота:
120 МГц
Наличие:
83 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 54,60
PBSS5540Z,115 PBSS5540Z,115 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 5 А, 2 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
Наличие:
1 419 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 17,40
2SA1416S-TD-E 2SA1416S-TD-E Транзистор биполярный PNP 100В 1A SOT89-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 100mA, 5V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
2SA1417T-TD-E 2SA1417T-TD-E TRANS PNP 100V 2A SOT89-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
Акция
2SA965 2SA965 Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 0.8 А, 0.9 Вт (Комплементарная пара 2SC2235)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-92MOD/formed
Тип транзистора:
PNP
Ток коллектора Макс.:
0.8 А
Мощность Макс.:
0.9 Вт
Граничная частота:
120 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
83 шт
Цена от:
от 54,60
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Транзистор биполярный NPN 100В 1A SOT89-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 100mA, 5V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
2SC3647T-TD-E 2SC3647T-TD-E TRANS NPN 100V 2A SOT89-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 100mA, 5V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
2SC3648T-TD-E 2SC3648T-TD-E Транзистор биполярный NPN 160В 0.7A SOT89-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
160 В
Ток коллектора Макс.:
700 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 100mA, 5V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
2SC4027T-H 2SC4027T-H Транзистор биполярный NPN 160В 1.5A TP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TP
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
160 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200 @ 100mA, 5V
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
120 МГц
2SD1782KT146R 2SD1782KT146R Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5A
Производитель:
ROHM
Корпус:
SMT3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
180
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
2SD1805F-TL-E 2SD1805F-TL-E Транзистор биполярный NPN 20В 5A TP-FA
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
2-TP-FA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
20 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
160 @ 500mA, 2V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
FMMT617TA FMMT617TA Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 3 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
15 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
FZT951TA FZT951TA TRANS PNP 60V 5A SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
FZT953TA FZT953TA Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 5 А, 3 Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
KSA1298YMTF KSA1298YMTF Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 0.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
25 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
KSC3265YMTF KSC3265YMTF Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 0.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
25 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
490 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
NSS1C200MZ4T1G NSS1C200MZ4T1G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
NSV1C200LT1G NSV1C200LT1G TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
490 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120 @ 500mA, 2V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
ZX5T955ZTA ZX5T955ZTA Биполярный транзистор, PNP, 140 В, 3 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
140 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2.1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
120 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.35654 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"