Одиночные биполярные транзисторы

20
Граничная частота: 125 МГц
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (20)
2PB1424,115 2PB1424,115 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 3 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
20 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
180
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
BCP5616TC BCP5616TC Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
224 236 шт
Цена от:
от 3,18
KSP13BU KSP13BU Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
125 МГц
KSP13TA KSP13TA Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
125 МГц
KST13MTF KST13MTF Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
MMBTA13-7-F MMBTA13-7-F Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
Новинка
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
MMBTA14LT1G MMBTA14LT1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
MMBTA28 MMBTA28 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
Акция
MMBTA28-7-F MMBTA28-7-F Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
MMBTA63LT1G MMBTA63LT1G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
Акция
MMBTA64LT1G MMBTA64LT1G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
PBSS5480X,135 PBSS5480X,135 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
1.6 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
PHPT61003PYX PHPT61003PYX Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.25 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
PMBTA64,215 PMBTA64,215 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
PZTA14 PZTA14 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
1.2 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
PZTA14,115 PZTA14,115 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1.25 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
PZTA28 PZTA28 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
PZTA64 PZTA64 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
1.2 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
ZXTN2031FTA ZXTN2031FTA Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
50 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
1.2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.39198 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"