Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (20)
2PB1424,115 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
BCP5616TC Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
62 734 шт
Цена от:
от 4,01
KSP13BU Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 125 МГц
KSP13TA Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 125 МГц
KST13MTF Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
MMBTA13-7-F Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
Акция MMBTA13LT1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
MMBTA14LT1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 20000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
MMBTA28 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
Акция MMBTA28-7-F Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
MMBTA63LT1G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
Акция MMBTA64LT1G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А, 0.3 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 20000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
PBSS5480X,135 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.6 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
PHPT61003PYX Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.25 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
PMBTA64,215 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 20000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
PZTA14 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 1.2 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 20000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
PZTA14,115 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1.25 Вт Коэффициент усиления hFE: 20000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
PZTA28 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
PZTA64 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 1.2 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 20000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
ZXTN2031FTA Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 1.2 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.42 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"