Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (20)
BF422 BF422 Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 250 мА, 0.83 Вт
Производитель:
Philips Semiconductors - до 2006. NXP Semiconductor - после.
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
830 мВт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
1 387 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 11,70
BF620,115 BF620,115 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.05 А, 0.5 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
1.1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
594 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 30,60
Акция
BF621,115 BF621,115 Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.05 А, 0.5 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
1.1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
616 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 29,40
Акция
BF622,115 BF622,115 Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 0.05 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
1.1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
934 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 9,78
BF820,215 BF820,215 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.05 А, 0.25 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
6 426 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4,92
BF821,215 BF821,215 Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.05 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
3 522 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,24
Акция
BF822,215 BF822,215 Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 0.05 А, 0.25 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
931 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 3,48
Акция
BF823,215 BF823,215 Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 0.05 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
2 690 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 4,80
PBSS5540X,135 PBSS5540X,135 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 4 А 2,5 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
1.6 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
2 826 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 23,28
BCP68T1G BCP68T1G Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
20 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
85
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
BCP69T1G BCP69T1G Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 1 А, 1.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
20 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
85
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
BF623,115 BF623,115 Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 0.05 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
1.1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
BF720T1G BF720T1G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.1 А, 1.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
BF721T1G BF721T1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.05 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
BF722,115 BF722,115 Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
1.2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
BF723,115 BF723,115 Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
1.2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
BSS64LT1G BSS64LT1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
FMMT560TA FMMT560TA Биполярный транзистор, PNP, 500 В, 0.15 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
500 В
Ток коллектора Макс.:
150 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Акция
FZT560TA FZT560TA Биполярный транзистор, PNP, 500 В, 0.15 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
500 В
Ток коллектора Макс.:
150 мА
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
SBCP68T1G SBCP68T1G Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
20 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
85
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.40449 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"