Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (41)
КТ829А КТ829А Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 60 Вт
Производитель:
Кремний, Брянск
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Мощность Макс.:
60 Вт
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
Наличие:
8 731 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 38,64
Акция
КТ831А КТ831А Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 2 А, 5 Вт
Производитель:
Кремний, Брянск
Корпус:
TO-39
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
25 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
5 Вт
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
Наличие:
112 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 36,42
КТ8116А КТ8116А Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 65 Вт
Производитель:
Россия
Корпус:
КТ-28 (TO-220AB)
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
65 Вт
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 154,20
2N6292G 2N6292G Биполярный транзистор, NPN, 70 В, 7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
70 В
Ток коллектора Макс.:
7 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
BDW42G BDW42G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 15 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
85 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
BDW46G BDW46G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 15 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
85 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
BDW47G BDW47G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 15 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
85 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
Акция
BUX85G BUX85G Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 2 А, 50 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
450 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
50 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
DXT13003DG-13 DXT13003DG-13 Биполярный транзистор NPN 450В 1.3A SOT223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
450 В
Ток коллектора Макс.:
1.3 А
Мощность Макс.:
700 мВт
Коэффициент усиления hFE:
16 @ 500mA, 2V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
4 МГц
FJA13009TU FJA13009TU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 12 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
400 В
Ток коллектора Макс.:
12 А
Мощность Макс.:
130 Вт
Коэффициент усиления hFE:
8
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
FJP3305H1TU FJP3305H1TU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 4 А, 75 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
400 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
8
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
FJPF13007H2TU FJPF13007H2TU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
400 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
26
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
MJ11015G MJ11015G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
120 В
Ток коллектора Макс.:
30 А
Мощность Макс.:
200 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
Акция
MJ11016G MJ11016G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
120 В
Ток коллектора Макс.:
30 А
Мощность Макс.:
200 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
Акция
MJ15022G MJ15022G Биполярный транзистор, NPN, 200 В, 16 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
200 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
250 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
MJ15023G MJ15023G Биполярный транзистор, PNP, 200 В, 16 А, 250Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
200 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
250 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
MJ15024G MJ15024G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
250 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
MJ15025G MJ15025G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
250 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
MJ21193G MJ21193G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
250 Вт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
MJ21194G MJ21194G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
250 Вт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.40449 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"