Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (20)
Акция
PMBT5550,215 PMBT5550,215 Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 0.3 А, 0.25W
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
140 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
2 957 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4,56
MMBT5401 MMBT5401 Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.5 А
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
120 000 шт
Аналоги:
55 535 шт
Цена от:
от 0,99
Акция
STN2580 STN2580 Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А, 1.6 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
400 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.6 Вт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
28 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 29,94
2N5401 2N5401 Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.6 А
Производитель:
Diotec Semiconductor
Корпус:
TO-92_formed_leads
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
300 МГц
KSA1013YBU KSA1013YBU Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92MOD
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
160 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
900 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
KSC3503DS KSC3503DS Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
7 Вт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
150 МГц
KSE44H11 KSE44H11 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
1.67 Вт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
KSE44H11TU KSE44H11TU Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
1.67 Вт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
MMBT5401 MMBT5401 Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.6 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
175 535 шт
Цена от:
от 0,74
MMBT5401 MMBT5401 Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.6 А
Производитель:
Diotec Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
175 535 шт
Цена от:
от 0,74
MMBT5401-7-F MMBT5401-7-F Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.6 А, 0.3 Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
175 535 шт
Цена от:
от 0,74
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
175 535 шт
Цена от:
от 0,74
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 0.6 А, 0,225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
140 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
MMST5401-7-F MMST5401-7-F Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.2 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
MMST5401-TP MMST5401-TP TRANS PNP 150V 0.2A SOT323
Производитель:
Micro Commercial Components
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
NSVMMBT5401LT3G NSVMMBT5401LT3G TRANS PNP 150V 0.5A SOT23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
PMBT5550,235 PMBT5550,235 Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 0.3 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
140 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 957 шт
Цена от:
от 4,56
SMMBT5401LT1G SMMBT5401LT1G Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
ZXTP720MATA ZXTP720MATA TRANS PNP 40V 3A 3-DFN
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DFN3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
190 МГц
КТ840А КТ840А Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 6 А, 6 Вт
Производитель:
Кремний, Брянск
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
400 В
Ток коллектора Макс.:
6 А
Мощность Макс.:
6 Вт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
80 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.35654 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"