Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (41)
2SB1197KT146Q 2SB1197KT146Q Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 0.8 А
Производитель:
ROHM
Корпус:
SMT3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
32 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
413 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,90
BCW69,215 BCW69,215 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.25 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
2 967 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,24
2SB1132T100Q 2SB1132T100Q Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 1 А
Производитель:
ROHM
Корпус:
MPT3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
32 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 382 шт
Цена от:
от 9,84
2DB1184Q-13 2DB1184Q-13 Биполярный транзистор PNP 50В 3A DPAK
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
50 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
15 Вт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
110 МГц
2PA1774Q,115 2PA1774Q,115 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.15 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
50 В
Ток коллектора Макс.:
150 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
2PA1774QM,315 2PA1774QM,315 Биполярный транзистор PNP 40В 0.1A SC101
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
430 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
2PC4081Q,115 2PC4081Q,115 Биполярный транзистор NPN 50В 0.15A SOT323
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
50 В
Ток коллектора Макс.:
150 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
2PC4617QM,315 2PC4617QM,315 Биполярный транзистор NPN 50В 0.1A SC101
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
50 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
430 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
2PD1820AR,115 2PD1820AR,115 Биполярный транзистор NPN 50В 0.5A SOT323
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
50 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
2SAR523MT2L 2SAR523MT2L Биполярный транзистор PNP 50В 0.1A VMT3
Производитель:
ROHM
Корпус:
VMT3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
50 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
2SC4617TLQ 2SC4617TLQ Биполярный транзистор NPN 50В 0.15A SOT-416
Производитель:
ROHM
Корпус:
EMT3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
50 В
Ток коллектора Макс.:
150 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
180 МГц
2SCR523MT2L 2SCR523MT2L Биполярный транзистор NPN 50В 0.1A VMT3
Производитель:
ROHM
Корпус:
VMT3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
50 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
350 МГц
2SD1664T100Q 2SD1664T100Q Биполярный транзистор NPN 32В 1A SOT-89
Производитель:
ROHM
Корпус:
MPT3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
32 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
2SD2391T100Q 2SD2391T100Q Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2A
Производитель:
ROHM
Корпус:
MPT3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
210 МГц
BCW29,215 BCW29,215 Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
32 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
BCW68GLT1G BCW68GLT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
BCW89,215 BCW89,215 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
BCX70G,215 BCX70G,215 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
KSA1015YTA KSA1015YTA Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.15 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
50 В
Ток коллектора Макс.:
150 мА
Мощность Макс.:
400 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
80 МГц
KSC2334YTU KSC2334YTU Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
7 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Сквозной
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.40449 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"