Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (20)
Акция
BSP51,115 BSP51,115 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 1 А, 1.25 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.25 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
396 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
23 548 шт
Цена от:
от 23,58
BSP52,115 BSP52,115 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.25 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.25 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
4 651 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 16,44
BSP62,115 BSP62,115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.25 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.25 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
3 156 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
927 шт
Цена от:
от 33,72
BST52,115 BST52,115 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.3 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
1 083 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 22,98
BST62,115 BST62,115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 1 А 1.3 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
1 257 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 22,14
BSP50 BSP50 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 45 В, 0.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
19 шт
Цена от:
от 24,55
BSP50,115 BSP50,115 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 45 В, 1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.25 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
19 шт
Цена от:
от 23,60
BSP52T1G BSP52T1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.25 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 651 шт
Цена от:
от 9,27
BSP60,115 BSP60,115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 45 В, 1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.25 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 000 шт
Цена от:
от 36,78
BSP61,115 BSP61,115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.25 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
BST50,115 BST50,115 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 45 В, 1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
BST51,115 BST51,115 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
BST60,115 BST60,115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 45 В, 1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
BST61,115 BST61,115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
FZT600TA FZT600TA Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 140 В, 2 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
140 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
FZT605TA FZT605TA Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 1.5 А, 2Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT223-4
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
120 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
MJF122G MJF122G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Сквозной
MJF127G MJF127G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Сквозной
NJD35N04G NJD35N04G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 350 В, 4 А, 45 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
350 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
45 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
90 МГц
NZT605 NZT605 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 110 В, 1.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
110 В
Ток коллектора Макс.:
1.5 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.39615 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"