Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (25)
BSR19A,215 BSR19A,215 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.3 А, 0,25 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
160 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
2 881 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 8,58
PMBT5551,215 PMBT5551,215 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.3 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
160 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
7 531 шт

Внешние склады:
21 030 шт
Цена от:
от 2,52
TTC5200(Q) TTC5200(Q) Биполярный транзистор, NPN, 230 В, 15 А, 150 Вт, (Комплементарная пара TTA1943) (рекомендуемая замена: 2SC5200N)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
230 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
Наличие:
122 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 118,08
MMBT5551 MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
87 000 шт
Аналоги:
248 574 шт
Цена от:
от 1,14
Акция
TTA1943(Q) TTA1943(Q) Биполярный транзистор, PNP, 200 В, 15 А, 150 Вт (Комплементарная пара TTC5200) (рекомендуемая замена: 2SA1943N)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
2-21F1A
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
230 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
Наличие:
39 шт

Внешние склады:
80 шт
Цена от:
от 137,70
Акция
2N5551TA 2N5551TA Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0,625 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-92_formed_leads
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
100 МГц
Акция
2STC5242 2STC5242 Биполярный транзистор, NPN, 230 В, 15 А, 130Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3P
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
230 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
Акция
DZT5551-13 DZT5551-13 Биполярный транзистор NPN 160В 0.6A SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
FMMT497TA FMMT497TA Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
75 МГц
FMMT560TA FMMT560TA Биполярный транзистор, PNP, 500 В, 0.15 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
500 В
Ток коллектора Макс.:
150 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Акция
FZT560TA FZT560TA Биполярный транзистор, PNP, 500 В, 0.15 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
500 В
Ток коллектора Макс.:
150 мА
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Новинка
MJL4281AG MJL4281AG Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 15 А, 230 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-264
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
350 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
230 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
35 МГц
Акция
MJL4302AG MJL4302AG Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 15 А, 230 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-264
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
350 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
230 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
35 МГц
Акция
MMBT5551 MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
335 574 шт
Цена от:
от 0,58
MMBT5551 MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
Производитель:
Diotec Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
335 574 шт
Цена от:
от 0,58
Акция
MMBT5551 MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Производитель:
Galaxy Microelectronics Co.,Ltd
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
335 574 шт
Цена от:
от 0,58
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
335 574 шт
Цена от:
от 0,58
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
335 574 шт
Цена от:
от 0,58
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
335 574 шт
Цена от:
от 0,58
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.06 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
160 В
Ток коллектора Макс.:
60 мА
Мощность Макс.:
265 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.40449 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"