Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (32)
2SB716 2SB716 Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 50 мА, 0.75 Вт
Производитель:
Hitachi Ltd.
Корпус:
TO92MOD
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
120 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
0.75 Вт
Наличие:
52 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3,06
BF422 BF422 Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 250 мА, 0.83 Вт
Производитель:
Philips Semiconductors - до 2006. NXP Semiconductor - после.
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
830 мВт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
1 390 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 12,00
BF620,115 BF620,115 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.05 А, 0.5 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
1.1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
594 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 30,60
Акция
BF621,115 BF621,115 Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.05 А, 0.5 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
1.1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
626 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 30,06
Акция
BF622,115 BF622,115 Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 0.05 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
1.1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
934 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 10,02
BF820,215 BF820,215 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.05 А, 0.25 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
6 947 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5,04
BF821,215 BF821,215 Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.05 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
3 572 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,24
Акция
BF822,215 BF822,215 Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 0.05 А, 0.25 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
931 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 3,48
Акция
BF823,215 BF823,215 Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 0.05 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
2 690 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 4,80
Акция
2SC5122 2SC5122 Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 50 мА, 0.9 Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO92MOD
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
400 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
0.9 Вт
Наличие:
39 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 8,28
2N5088G 2N5088G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.05 А, 0.625 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
2SA1145 Y 2SA1145 Y Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 50 мА, 0.8 Вт, (Комплементарная пара 2SC2705)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO92MOD
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
0.8 Вт
2SA1579T106R 2SA1579T106R Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 0.05 А
Производитель:
ROHM
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
120 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
180
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
140 МГц
2SA872 2SA872 Биполярный транзистор, PNP, 90 В, 0.05 А, 0.3 Вт
Производитель:
Hitachi Ltd.
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
90 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
0.3 Вт
2SC2512 2SC2512 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 50 мА, 0.3 Вт
Производитель:
Hitachi Ltd.
Корпус:
TO92/formed lead
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
0.3 Вт
2SC2705 2SC2705 Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 50 мА, 0.8 Вт, (Комплементарная пара 2SA1145)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-92MOD/formed
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
0.8 Вт
2SC2926 2SC2926 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 50 мА
Производитель:
ROHM
Корпус:
TO92/formed lead
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Граничная частота:
1.1 ГГц
2SC3777 2SC3777 Биполярный транзистор, NPN, 16 В, 50 мА, 400 мВт
Производитель:
Sanyo Semiconductors
Корпус:
TO92/formed lead
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
16 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
400 мВт
2SC4102T106R 2SC4102T106R Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 0.05A
Производитель:
ROHM
Корпус:
UMT3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
120 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
180
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
140 МГц
2SC4726TLP 2SC4726TLP TRANS NPN 11V 0.05A SOT-416
Производитель:
ROHM
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
11 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
56
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
3.2 ГГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.40449 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"