Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1489)
Акция MMBT3904WT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
MMBT4124 Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
MMBT4124-7-F TRANS NPN 25V 0.2A SMD SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
MMBT4401-7-F Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SMD SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
97 454 шт
Цена от:
от 0,96
MMBT4401LT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.3W Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
97 454 шт
Цена от:
от 0,96
MMBT4401LT3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
97 454 шт
Цена от:
от 0,96
MMBT4401M3T5G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 265 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц
Акция MMBT489LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 710 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
MMBT5088 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц
MMBT5088LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.05 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц
Акция MMBT5089 Биполярный транзистор, NPN, 25 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 400 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц
MMBT5089LT1G Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 0.05 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 400 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц
MMBT5550LT1G Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 0.6 А, 0,225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 140 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 60 Тип монтажа: Поверхностный
Акция MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
168 003 шт
Цена от:
от 0,72
Акция MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0.35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
168 003 шт
Цена от:
от 0,72
MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: Diotec Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
168 003 шт
Цена от:
от 0,72
MMBT5551-7-F Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
168 003 шт
Цена от:
от 0,72
MMBT5551LT1G Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
168 003 шт
Цена от:
от 0,72
MMBT5551LT3G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
168 003 шт
Цена от:
от 0,72
MMBT5551M3T5G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.06 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 60 мА Мощность Макс.: 265 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.4136 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"