Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1489)
MMBT2222ALP4-7B TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 460 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Акция MMBT2222ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
32 210 шт
Цена от:
от 0,94
MMBT2222ALT3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 681 шт
Цена от:
от 0,94
MMBT2222AM3T5G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 640 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
MMBT2222AT-7-F Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Акция MMBT2222ATT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.15 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
MMBT2222AWT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
MMBT2222AWT3G Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SC70-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
MMBT2222LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.6 А, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц
MMBT2369ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 0.2 А, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 15 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный
MMBT2369LT1G Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 15 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный
MMBT2484LT1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный
MMBT3904 Биполярный транзистор Производитель: Diotec Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN
MMBT3904-7-F Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
111 059 шт
Цена от:
от 0,61
MMBT3904LP-7 TRANS NPN 40V 0.2A DFN1006-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 10mA, 1V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
MMBT3904LT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
111 059 шт
Цена от:
от 0,61
MMBT3904LT3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
111 059 шт
Цена от:
от 0,61
MMBT3904Q-7-F Транзистор общего применения биполярный NPN 40В 0.2A 350мВт 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 0.35 Вт
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
111 059 шт
Цена от:
от 0,61
MMBT3904T-7-F Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Акция MMBT3904TT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0,2 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.4136 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"