Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
От
До
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (142)
MMBT5401LT1G Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 60 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
219 275 шт
Цена от:
от 0,82
MMBT5551-7-F Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
88 447 шт
Цена от:
от 0,70
MMBTA06-7-F Биполярный транзистор NPN 80В 0.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
6 841 шт
Цена от:
от 1,57
MMBTA06-TP Биполярный транзистор NPN 80В 0.5A SOT23 Производитель: Micro Commercial Components Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 100mA, 1V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
6 841 шт
Цена от:
от 1,38
MMBTA13-7-F Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 мГц
Акция MMBTA28-7-F Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 мГц
MMBTA42-7-F Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
22 218 шт
Цена от:
от 1,33
MMBTA56-7-F Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
6 877 шт
Цена от:
от 1,10
MMBTA92-7-F Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
222 061 шт
Цена от:
от 1,48
MMBTA92LT1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.25 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
222 061 шт
Цена от:
от 1,48
MMBTA92LT3G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
222 061 шт
Цена от:
от 1,48
NSS20101JT1G Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 350 мГц
SBC807-16LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц
SBC807-25LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц
SBC807-25LT3G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц
SBC807-40LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
93 791 шт
Цена от:
от 0,94
SBC817-16LT3G TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц
SBC817-25LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц
Акция SBC817-40LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 997 047 шт
Цена от:
от 0,64
SBC817-40LT3G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 997 047 шт
Цена от:
от 0,64
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.42 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"