Одиночные биполярные транзисторы

211
Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (211)
MMBT2222AT-7-F MMBT2222AT-7-F Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-523
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Акция
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.15 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
MMBT2222AWT3G MMBT2222AWT3G Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SC70-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
MMBT3904-7-F MMBT3904-7-F Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
259 116 шт
Цена от:
от 0,44
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Биполярный транзистор NPN 40В 0.2A DFN1006-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 10mA, 1V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
MMBT3904LT1G MMBT3904LT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
259 116 шт
Цена от:
от 0,44
MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
259 116 шт
Цена от:
от 0,44
MMBT3904Q-7-F MMBT3904Q-7-F Транзистор общего применения биполярный NPN 40В 0.2A 350мВт 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
0.35 Вт
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
259 116 шт
Цена от:
от 0,44
MMBT3904T-7-F MMBT3904T-7-F Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-523
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Акция
MMBT3904TT1G MMBT3904TT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0,2 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Акция
MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
MMBT3906 MMBT3906 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
Diotec Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
342 196 шт
Цена от:
от 0,34
MMBT3906-7-F MMBT3906-7-F Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
342 196 шт
Цена от:
от 0,34
MMBT3906-TP MMBT3906-TP Биполярный транзистор PNP 40В 0.2A SOT23
Производитель:
Micro Commercial Components
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
342 196 шт
Цена от:
от 0,34
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
342 196 шт
Цена от:
от 0,34
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
342 196 шт
Цена от:
от 0,34
MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А, 0,2 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Акция
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
MMBT4401-7-F MMBT4401-7-F Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SMD SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
247 579 шт
Цена от:
от 0,69
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.38781 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"