Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1489)
MJD200G Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 1.4 Вт Коэффициент усиления hFE: 45 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 65 МГц
MJD200T4G Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 1.4 Вт Коэффициент усиления hFE: 45 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 65 МГц
MJD243G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.4 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 40 МГц
MJD243T4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.4 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 40 МГц
MJD3055T4 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 10 А, 20Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 20 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 2 МГц
MJD3055T4G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 2 МГц
MJD31C-13 TRANS NPN 100V 3A DPAK Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
Акция MJD31C1G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А, 15W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
MJD31CG Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
150 шт
Цена от:
от 19,36
MJD31CQ-13 Транзистор биполярный NPN 100В 3A DPAK Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO-252 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 15 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 @ 3A, 4V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
150 шт
Цена от:
от 14,15
MJD31CRLG Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
150 шт
Цена от:
от 14,15
MJD31CT4-A TRANS NPN 100V 3A DPAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 15 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 @ 3A, 4V Тип монтажа: Поверхностный
MJD31CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
150 шт
Цена от:
от 14,15
MJD31T4G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
150 шт
Цена от:
от 14,15
MJD340G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 206 шт
Цена от:
от 12,19
MJD340T4G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 206 шт
Цена от:
от 12,19
MJD340TF Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 206 шт
Цена от:
от 17,38
MJD41CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
Акция MJD44H11G Биполярный транзистор, NPN, 80B, 8 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 85 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
57 226 шт
Цена от:
от 19,53
MJD44H11T4G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 85 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
57 226 шт
Цена от:
от 19,53
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.40984 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"