Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (137)
KSD1273Q KSD1273Q Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3 А, 40 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
40 Вт
KSD2012GTU KSD2012GTU Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
25 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
KTA1046-Y-U/PF KTA1046-Y-U/PF Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 3 А, 20 Вт, (Комплементарная пара KTC2026)
Производитель:
Korea Electronics
Корпус:
TO-220F
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
20 Вт
MJD31C-13 MJD31C-13 TRANS NPN 100V 3A DPAK
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
3 МГц
MJD31CG MJD31CG Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
3 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
9 856 шт
Цена от:
от 12,72
MJD31CT4-A MJD31CT4-A TRANS NPN 100V 3A DPAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
15 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10 @ 3A, 4V
Тип монтажа:
Поверхностный
Акция
MJD31CT4G MJD31CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
3 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
9 856 шт
Цена от:
от 12,72
MJD31T4G MJD31T4G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
3 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
9 856 шт
Цена от:
от 12,72
MJD32CT4G MJD32CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 1.56Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
3 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 377 шт
Цена от:
от 13,61
MJE172G MJE172G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
Акция
MJE182G MJE182G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
MJF31CG MJF31CG Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
MJF32CG MJF32CG Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
NJT4030PT1G NJT4030PT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
160 МГц
NJT4030PT3G NJT4030PT3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
160 МГц
Акция
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
215 МГц
Акция
NJT4031NT3G NJT4031NT3G Биполярный транзистор NPN 40В 3A SOT-223
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
215 МГц
NJVMJD31CT4G NJVMJD31CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
3 МГц
NJVMJD32CT4G NJVMJD32CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
3 МГц
NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
175
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
160 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.39615 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"