Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (109)
MJB42CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
MJD31C-13 TRANS NPN 100V 3A DPAK Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
Акция MJD31C1G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А, 15W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
MJD31CG Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
150 шт
Цена от:
от 19,36
MJD31CQ-13 Транзистор биполярный NPN 100В 3A DPAK Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO-252 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 15 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 @ 3A, 4V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
150 шт
Цена от:
от 14,15
MJD31CRLG Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
150 шт
Цена от:
от 14,15
MJD31CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
150 шт
Цена от:
от 14,15
MJD31T4G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
150 шт
Цена от:
от 14,15
MJD32CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 1.56Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 500 шт
Цена от:
от 13,61
MJD41CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
MJD42CG Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
MJD42CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А, 20Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
MJF31CG Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220FP Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
MJF32CG Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
MJH11017G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 150 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 400 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
MJH11019G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 200 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 200 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 400 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
MJH11020G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 200 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 200 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 400 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
MJH11021G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 250 В, 15 А, 150 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 400 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
MJH11022G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 250 В, 15 А, 150 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 400 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
NJVMJD31CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.42 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"