Одиночные биполярные транзисторы

81
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (81)
FMMT493TA FMMT493TA Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
FMMT495TA FMMT495TA Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
FMMT497TA FMMT497TA Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
75 МГц
FMMT549ATA FMMT549ATA Биполярный транзистор PNP 30В 1A SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
FMMT555TA FMMT555TA Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
50
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
FMMT560TA FMMT560TA Биполярный транзистор, PNP, 500 В, 0.15 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
500 В
Ток коллектора Макс.:
150 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
FMMT589TA FMMT589TA Транзистор биполярный PNP 30В 1A SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100 @ 500mA, 2V
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Акция
FMMT591ATA FMMT591ATA Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 1 А, 0.5 Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
Акция
FMMT591TA FMMT591TA Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
FMMT593TA FMMT593TA Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
FMMT596TA FMMT596TA Биполярный транзистор, PNP, 200 В, 0.3 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
200 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
85
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
FMMT597TA FMMT597TA Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.2 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
75 МГц
FMMTL718TA FMMTL718TA Биполярный транзистор PNP 20В 1A SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
20 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
265 МГц
FSB560 FSB560 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
75 МГц
FSB560A FSB560A Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
75 МГц
FSB660A FSB660A Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
75 МГц
KSA992FTA KSA992FTA Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 0.05 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
120 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
100 МГц
KSC1845FTA KSC1845FTA Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 0.05 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
120 В
Ток коллектора Макс.:
50 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
110 МГц
NSS12100XV6T1G NSS12100XV6T1G Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
12 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
PBSS4160V,115 PBSS4160V,115 Биполярный транзистор NPN 60В 0.9A SOT666
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
900 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
220 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.40032 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"