Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (91)
MJ11033G MJ11033G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 120 В, 50 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
120 В
Ток коллектора Макс.:
50 А
Мощность Макс.:
300 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
MJD117G MJD117G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
25 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 000 шт
Цена от:
от 40,86
Акция
MJD117T4G MJD117T4G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
25 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 000 шт
Цена от:
от 38,08
MJD127G MJD127G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
4 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 892 шт
Цена от:
от 65,22
MJD127T4G MJD127T4G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
4 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 892 шт
Цена от:
от 65,22
MJE700G MJE700G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
MJE703G MJE703G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
MJF127G MJF127G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Сквозной
MJH11017G MJH11017G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 150 В, 15 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
400
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
MJH11019G MJH11019G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 200 В, 15 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
200 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
400
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
MJH11021G MJH11021G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 250 В, 15 А, 150 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
400
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
MJH6287G MJH6287G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 20 А, 160W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
20 А
Мощность Макс.:
160 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
MMBTA63LT1G MMBTA63LT1G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
Акция
MMBTA64LT1G MMBTA64LT1G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
NJVMJD117T4G NJVMJD117T4G TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK-4
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
25 МГц
PBSS5160DS,115 PBSS5160DS,115 Биполярный транзистор PNP/PNP, 60 В, 0.77 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23-6
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
0.77 А
PMBTA64,215 PMBTA64,215 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
PZTA64 PZTA64 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
1.2 А
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
TIP105 TIP105 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 8 А, 80 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
TIP107G TIP107G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
602 шт
Цена от:
от 53,82
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.40449 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"