Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (56)
Акция
MJD50T4G MJD50T4G Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А, 15 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
400 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
10 МГц
MJD50TF MJD50TF Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
400 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
10 МГц
MJD5731T4G MJD5731T4G Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
350 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
10 МГц
MJE340G MJE340G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 20 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-32 (TO-126)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 120 шт
Цена от:
от 33,24
MJE350G MJE350G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 20W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 817 шт
Цена от:
от 37,74
MJE5730G MJE5730G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
10 МГц
MJE5731AG MJE5731AG Биполярный транзистор, PNP, 375 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
375 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
10 МГц
MJE5731G MJE5731G Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
350 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
10 МГц
MMJT350T1G MMJT350T1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
650 мВт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
PBSS5260QAZ PBSS5260QAZ TRANS PNP 60V 1.7A DFN1010D-3
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
3-DFN (1.1x1)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
1.7 А
Мощность Макс.:
325 мВт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
PMSTA92,115 PMSTA92,115 Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
PN3640 PN3640 Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 0.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
12 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
500 МГц
TIP48G TIP48G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
10 МГц
TIP48TU TIP48TU Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
10 МГц
TIP50G TIP50G Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
400 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
10 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
273 шт
Цена от:
от 58,14
КТ506А КТ506А Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 2 А, 10 Вт
Производитель:
Кремний, Брянск
Корпус:
TO-39
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
400 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
10 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
10 МГц
  • 1
  • 2
  • 3
  • Далее
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.40032 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"