Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (124)
BCV29,115 BCV29,115 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1.3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
220 МГц
BCV47,235 BCV47,235 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 0.5 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
220 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
10 368 шт
Цена от:
от 2,78
BCV47E6433 BCV47E6433 Биполярный транзистор Дарлингтона NPN 60В 0.5A 360мВт автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
10 368 шт
Цена от:
от 5,94
BCV47TA BCV47TA Биполярный транзистор NPN Дарлингтона 60В 0.5A SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
330 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
170 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
10 368 шт
Цена от:
от 2,78
BCV49,135 BCV49,135 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 0.5 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1.3 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
220 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
12 000 шт
Цена от:
от 15,18
BCX38C BCX38C Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 0.8 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Сквозной
BD675AG BD675AG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 45 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
BD675AS BD675AS Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 45 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
BD675G BD675G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 45 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
BD677AG BD677AG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
968 шт
Цена от:
от 38,94
BD677G BD677G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 150 шт
Цена от:
от 15,24
BD679AG BD679AG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 833 шт
Цена от:
от 13,74
BD679ASTU BD679ASTU Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 833 шт
Цена от:
от 13,74
BD679G BD679G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 833 шт
Цена от:
от 13,74
BD681G BD681G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
27 683 шт
Цена от:
от 10,56
Акция
BDV65BG BDV65BG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 10 А, 125 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
125 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
BDW42G BDW42G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 15 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
85 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
BDX33BG BDX33BG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
70 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
50 шт
Цена от:
от 50,84
BDX33CG BDX33CG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
70 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
50 шт
Цена от:
от 63,84
BDX53BG BDX53BG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
65 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 808 шт
Цена от:
от 40,03
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.39615 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"