Одиночные биполярные транзисторы

41
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (41)
MJ21195G MJ21195G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
250 Вт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
MJ21196G MJ21196G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
250 Вт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
MJD122G MJD122G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
4 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 630 шт
Цена от:
от 33,04
MJD122T4G MJD122T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 20 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
4 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 630 шт
Цена от:
от 34,38
MJD127G MJD127G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
4 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 886 шт
Цена от:
от 60,60
MJD127T4G MJD127T4G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
4 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 886 шт
Цена от:
от 60,60
MJH6284G MJH6284G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 20 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
20 А
Мощность Макс.:
160 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
MJH6287G MJH6287G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 20 А, 160W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
20 А
Мощность Макс.:
160 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
MJL21193G MJL21193G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 200 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-264
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
200 Вт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
Акция
MJL21194G MJL21194G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-264
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
200 Вт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
Акция
MJL21195G MJL21195G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 200 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-264
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
200 Вт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
MJL21196G MJL21196G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-264
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
200 Вт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
Акция
MJW21193G MJW21193G Биполярный транзистор, PNP, 16A, 250V, 200 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
200 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
MJW21194G MJW21194G Биполярный транзистор, NPN, 250V, 16 А, 200 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
200 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
MJW21195G MJW21195G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
200 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
MJW21196G MJW21196G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
200 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
NJW21193G NJW21193G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
200 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
NJW21194G NJW21194G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
200 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
КТ8106А КТ8106А Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 20 А, 100 Вт
Производитель:
Кремний, Брянск
Корпус:
ТО-218 (КТ-43)
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
20 А
Мощность Макс.:
100 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750-18000
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
КТ8115А КТ8115А Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 65 Вт
Производитель:
Россия
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
65 Вт
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.39615 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"