Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (56)
2N6341G 2N6341G Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 25 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
25 А
Мощность Макс.:
200 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
40 МГц
BD159STU BD159STU Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
350 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
BD437S BD437S TRANS NPN 45V 4A TO-126
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
36 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
BD438S BD438S Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
36 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 269 шт
Цена от:
от 19,08
BD438STU BD438STU Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
45 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
36 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 269 шт
Цена от:
от 19,08
BSP16T1G BSP16T1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
15 МГц
BSS63,215 BSS63,215 Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 0.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
85 МГц
Акция
BSS63LT1G BSS63LT1G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
95 МГц
Акция
BUX85G BUX85G Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 2 А, 50 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
450 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
50 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
KSC2752OSTU KSC2752OSTU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
400 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
KSE340STU KSE340STU Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 20 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126F
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
KSE350STU KSE350STU Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-126
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Сквозной
KSH50TF KSH50TF Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
400 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
10 МГц
MJD340G MJD340G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
9 812 шт
Цена от:
от 12,19
MJD340T4G MJD340T4G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
9 812 шт
Цена от:
от 12,19
MJD340TF MJD340TF Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
9 812 шт
Цена от:
от 17,38
MJD350T4G MJD350T4G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 15 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 466 шт
Цена от:
от 61,92
MJD47G MJD47G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
10 МГц
MJD47T4G MJD47T4G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
250 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
10 МГц
MJD50G MJD50G Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
400 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
10 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.40032 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"