Одиночные биполярные транзисторы

43
Коэффициент усиления hFE: 150
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (43)
Акция
NSS60201LT1G NSS60201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А, 0.54W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
460 мВт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
PBSS2515M,315 PBSS2515M,315 Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 0.5 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
15 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
430 мВт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
420 МГц
PBSS2540M,315 PBSS2540M,315 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.5 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
430 мВт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
450 МГц
PBSS304PX,115 PBSS304PX,115 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 4.2 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
4.2 А
Мощность Макс.:
2.1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
130 МГц
PBSS304PZ,135 PBSS304PZ,135 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 4.5 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
4.5 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
130 МГц
PBSS3515M,315 PBSS3515M,315 Биполярный транзистор, PNP, 15 В, 0.5 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
15 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
430 мВт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
280 МГц
PBSS3540M,315 PBSS3540M,315 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.5 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
430 мВт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
PBSS4032PT,215 PBSS4032PT,215 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 2.4 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
2.4 А
Мощность Макс.:
1.1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
160 МГц
PBSS4032PX,115 PBSS4032PX,115 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 4.2 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
4.2 А
Мощность Макс.:
2.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
115 МГц
PBSS4041NX,115 PBSS4041NX,115 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6.2 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
6.2 А
Мощность Макс.:
2.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
130 МГц
PBSS4041PT,215 PBSS4041PT,215 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2.7 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
2.7 А
Мощность Макс.:
1.1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
PBSS4041PX,115 PBSS4041PX,115 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 5 А, 0.6Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
2.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
110 МГц
PBSS4580PA,115 PBSS4580PA,115 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 5.6 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
HUSON3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
5.6 А
Мощность Макс.:
2.1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
155 МГц
PBSS5320D,115 PBSS5320D,115 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 3 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSOP
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
20 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
750 мВт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
PBSS5320X,135 PBSS5320X,135 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 3 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
20 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.6 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
PBSS5480X,135 PBSS5480X,135 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
1.6 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
PBSS5560PA,115 PBSS5560PA,115 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 5 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
HUSON3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
2.1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
90 МГц
PBSS8110D,115 PBSS8110D,115 Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSOP
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
700 мВт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
PBSS8110T,215 PBSS8110T,215 Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
480 мВт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
PBSS8110Z,135 PBSS8110Z,135 Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.4 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.38781 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"