Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (3456)
NJVMJD32CT4G-VF01 Транзистор биполярный PNP 100В 3A DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
NJVMJD41CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
NJVMJD42CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
NJVMJD44H11T4G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 85 МГц
NJVMJD44H11T4G-VF01 Транзистор общего применения биполярный NPN 80В 8A 1750мВт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
NJVMJD45H11T4G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 90 МГц
NJVMJD45H11T4G-VF01 Транзистор общего применения биполярный PNP 80В 16A 1750мВт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
NJVNJD2873T4G Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.68 Вт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 65 МГц
NJW0281G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 75 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
NJW0302G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 15 А, 150Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 15 А Тип монтажа: Поверхностный
NJW1302G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 75 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
NJW21193G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц
NJW21194G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц
NJW3281G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 75 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
NSL12AWT1G Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 450 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
NSS12100UW3TCG Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-WDFN (2x2) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 740 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
NSS12100XV6T1G Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
NSS12200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3
NSS12201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 460 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
NSS12501UW3T2G Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-WDFN (2x2)
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.42 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"