Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
От
До
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (3455)
MSD42WT1G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный
MSLSBC856BLT1G Производитель: ON Semiconductor
Акция NJD2873T4G Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.68 Вт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 65 мГц
NJD35N04G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 350 В, 4 А, 45 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 45 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 90 мГц
NJL1302DG Биполярный транзистор, PNP, 260 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Тип транзистора: PNP + диод Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 260 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 75 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 мГц
NJL3281DG Биполярный транзистор, NPN, 260 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 260 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 75 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 мГц
NJT4030PT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 160 мГц
NJT4030PT3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 160 мГц
Акция NJT4031NT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 215 мГц
Акция NJT4031NT3G Биполярный транзистор NPN 40В 3A SOT-223 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 215 мГц
NJVMJB44H11T4G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263
NJVMJD112T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
NJVMJD117T4G TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK-4 Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 мГц
NJVMJD122T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный
NJVMJD31CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 мГц
NJVMJD31CT4G-VF01 Транзистор общего применения биполярный NPN 100В 5A 1560мВт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
NJVMJD32CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 мГц
NJVMJD32CT4G-VF01 Транзистор биполярный PNP 100В 3A DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
NJVMJD41CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 мГц
NJVMJD42CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 мГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.42 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"