Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (292)
PZT2907AT3G PZT2907AT3G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
PZT651T1G PZT651T1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А, 0.8Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE:
75
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
75 МГц
Акция
PZT751T1G PZT751T1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2 А, 0.8 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
800 мВт
Коэффициент усиления hFE:
75
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
75 МГц
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 Биполярный транзистор
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
0.6 А
SMMBT2907ALT1G SMMBT2907ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
229 243 шт
Цена от:
от 0,73
SMMBT2907ALT3G SMMBT2907ALT3G Биполярный транзистор PNP 60В 0.6A SOT-23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
229 243 шт
Цена от:
от 0,73
SPZT2907AT1G SPZT2907AT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
STD1802T4 Биполярный транзистор NPN 60В 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
STD2805T4 STD2805T4 TRANS PNP 60V 5A DPAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
15 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
STN851 STN851 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 5 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
1.6 Вт
Коэффициент усиления hFE:
150
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
130 МГц
TIP105 TIP105 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 8 А, 80 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
TIP110G TIP110G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
TIP115 TIP115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 2 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Акция
TIP120G TIP120G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
380 шт
Цена от:
от 51,84
TIP120TU TIP120TU Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
380 шт
Цена от:
от 22,33
TIP140G TIP140G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
125 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Сквозной
TIP29A TIP29A Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
TIP29AG TIP29AG Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
TIP3055G TIP3055G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 15 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
90 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
2.5 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
126 шт
Цена от:
от 98,04
TIP31AG TIP31AG Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.39615 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"