Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
От
До
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (3455)
Акция MJB45H11T4G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 40 мГц
MJD112-1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251
MJD112G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 341 шт
Цена от:
от 18,09
MJD112RLG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 341 шт
Цена от:
от 21,88
MJD112T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 341 шт
Цена от:
от 18,09
MJD117G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 101 шт
Цена от:
от 47,22
Акция MJD117T4G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 101 шт
Цена от:
от 38,08
MJD122-1 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251
MJD122G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 4 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 232 шт
Цена от:
от 33,04
MJD122T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 4 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 232 шт
Цена от:
от 45,64
MJD122TF Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 232 шт
Цена от:
от 33,04
MJD127G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 4 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 181 шт
Цена от:
от 68,44
MJD127T4G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 4 мГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 181 шт
Цена от:
от 72,17
MJD127TF Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
2 181 шт.
Цена от:
от 68,44
MJD200G Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 1.4 Вт Коэффициент усиления hFE: 45 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 65 мГц
MJD200T4G Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 1.4 Вт Коэффициент усиления hFE: 45 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 65 мГц
MJD210G Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 1.4 Вт Коэффициент усиления hFE: 45 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 65 мГц
MJD210RLG Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 1.4 Вт Коэффициент усиления hFE: 45 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 65 мГц
MJD210T4G Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 1.4 Вт Коэффициент усиления hFE: 45 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 65 мГц
MJD210TF Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.42 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"