Одиночные биполярные транзисторы

299
Коэффициент усиления hFE: 100
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (299)
MPSA56G MPSA56G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
80 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
NSL12AWT1G NSL12AWT1G Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
12 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
450 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
NSS12100UW3TCG NSS12100UW3TCG Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-WDFN (2x2)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
12 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
740 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
NSS12100XV6T1G NSS12100XV6T1G Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
12 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
NSS35200MR6T1G NSS35200MR6T1G Биполярный транзистор, PNP, 35 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
35 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
NZT660 NZT660 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
75 МГц
NZT753 NZT753 Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
1.2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
75 МГц
PBHV8215Z,115 PBHV8215Z,115 Биполярный транзистор NPN 150В 2A SOT223
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
150 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.45 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
33 МГц
PBSS306NZ,135 PBSS306NZ,135 Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 5.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
5.1 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
110 МГц
PBSS306PX,115 PBSS306PX,115 Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3.7 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3.7 А
Мощность Макс.:
2.1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
PBSS306PZ,135 PBSS306PZ,135 Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 4.1 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
4.1 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
PBSS4350D,115 PBSS4350D,115 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 3 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSOP
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
50 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
750 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
PBSS4350D,125 PBSS4350D,125 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 3 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSOP
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
50 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
750 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
PBSS4350D,135 PBSS4350D,135 Биполярный транзистор NPN 50В 3A 6TSOP
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSOP
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
50 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
750 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
PBSS5350D,115 PBSS5350D,115 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 3 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSOP
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
50 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
750 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
PBSS5350Z,135 PBSS5350Z,135 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 3 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
50 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
PMBT2222,215 PMBT2222,215 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.6 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
30 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
PMBT2907,215 PMBT2907,215 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
PMBT2907A,235 PMBT2907A,235 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
60 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
69 259 шт
Цена от:
от 0,71
PMBT3904,235 PMBT3904,235 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
21 022 шт
Цена от:
от 0,89
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.38781 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"