Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (3456)
Акция BSR52,126 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А
BSS63,215 Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 85 МГц
BSS63LT1G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 95 МГц
BSS64,215 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BSS64LT1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 60 МГц
BST50,115 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 45 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
BST51,115 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
BST51,135 TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3
BST60,115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 45 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
BST61,115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
BSV52 Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3
BSV52,215 Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 500 МГц
BSV52LT1G Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 400 МГц
BU1508AX Биполярный транзистор, NPN, 700 В, 8 А, 35 Вт Производитель: Philips Semiconductors - до 2006. NXP Semiconductor - после. Корпус: TO-220F Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 700 В Ток коллектора Макс.: 8 А
BU208A Биполярный транзистор, NPN, 1500 В, 5 А, 90 Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3
BU2525AF Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 12 А, 45 Вт Производитель: Philips Semiconductors - до 2006. NXP Semiconductor - после. Корпус: SOT199 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 800 В Ток коллектора Макс.: 12 А Мощность Макс.: 45 Вт
BU2527AF Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 12 А, 45 Вт Производитель: Philips Semiconductors - до 2006. NXP Semiconductor - после. Корпус: SOT399
BU2527AX Биполярный транзистор, NPN, 1500 В, 12 А, 45 Вт Производитель: Philips Semiconductors - до 2006. NXP Semiconductor - после. Корпус: SOT199 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 1500 В Ток коллектора Макс.: 12 А Мощность Макс.: 45 Вт
BU323ZG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 350 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 500 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2 МГц
BU406G Биполярный транзистор, NPN, 200 В, 7 А, 60Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 200 В Ток коллектора Макс.: 7 А Мощность Макс.: 60 Вт Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 10 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.42 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"