Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (31)
TTA1943(Q) Биполярный транзистор, PNP, 200 В, 15 А, 150 Вт (Комплементарная пара TTC5200) (рекомендуемая замена: 2SA1943N) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: 2-21F1A Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 230 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
Наличие:
96 шт

Под заказ:
107 шт
Цена от:
от 155,00
TTC5200(Q) Биполярный транзистор, NPN, 230 В, 15 А, 150 Вт, (Комплементарная пара TTA1943) (рекомендуемая замена: 2SC5200N) Производитель: Toshiba Semiconductor Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 230 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
Наличие:
191 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 146,44
2N5210BU Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
2N5210TFR TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
2SA1943OTU Транзистор биполярный PNP 250В 17A TO264 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 17 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 80 @ 1A, 5V Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 805 шт
Цена от:
от 134,26
2SA1962OTU Транзистор биполярный PNP 250В 17A TO-3P Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 17 А Мощность Макс.: 130 Вт Коэффициент усиления hFE: 80 @ 1A, 5V Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
2SA1962RTU Транзистор биполярный PNP 250В 17A TO-3P Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 17 А Мощность Макс.: 130 Вт Коэффициент усиления hFE: 55 @ 1A, 5V Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
2SC3835 TRANS NPN 120V 7A TO3P Производитель: Inchange Semiconductor Company Корпус: TO-3P Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 7 А Мощность Макс.: 70 Вт Коэффициент усиления hFE: 70 @ 3A, 4V Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
Акция 2STC5242 Биполярный транзистор, NPN, 230 В, 15 А, 130Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3P Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 230 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
FZT655TA Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 30 МГц
FZT657TA Транзистор биполярный NPN 300В 0.5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 @ 100mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 30 МГц
FZT755TA Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 30 МГц
FZT757TA Транзистор биполярный PNP 300В 0.5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 @ 100mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 30 МГц
Акция MJE15028G Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 8 А, 50W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 50 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
MJE15029G Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 8 А, 50W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 50 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
Акция MJE15030G Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 50 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
Акция MJE15031G Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 8 А, 50Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 50 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
MJE15032G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 8 А, 50 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
MJE15033G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 8 А, 50 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
MJE15035G Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 4 А, 50 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.42 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"