Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (28)
KSH127TF Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный
MJD112G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
700 шт
Цена от:
от 18,09
MJD112RLG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
700 шт
Цена от:
от 21,88
MJD112T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
700 шт
Цена от:
от 18,09
MJD117G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 106 шт
Цена от:
от 45,05
Акция MJD117T4G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 106 шт
Цена от:
от 38,08
MJD122G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 4 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
16 089 шт
Цена от:
от 28,91
MJD122T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 4 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
16 089 шт
Цена от:
от 28,91
MJD127G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 4 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 096 шт
Цена от:
от 68,44
MJD127T4G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 4 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 096 шт
Цена от:
от 72,17
Акция MJD2955G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 10 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 2 МГц
MJD2955T4G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 2 МГц
MJD3055T4G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 2 МГц
MJD41CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
MJD42CG Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
MJD42CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А, 20Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц
Акция MJD44H11G Биполярный транзистор, NPN, 80B, 8 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 85 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
57 426 шт
Цена от:
от 19,53
MJD44H11T4G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 85 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
57 426 шт
Цена от:
от 19,53
MJD45H11-1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 90 МГц
MJD45H11G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 90 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 816 шт
Цена от:
от 25,15
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.42 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"