Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (53)
2SC2712 GR Биполярный транзистор, NPN, 50В, 0.15А, 0.15Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 150 мВт
Наличие:
24 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
166 435 шт
Цена от:
от 2,13
2PA1774Q,115 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.15 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-75 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
2PA1774S,115 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.15 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-75 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 270 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
2PC4617R,115 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.15 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
2SAR523MT2L TRANS PNP 50V 0.1A VMT3 Производитель: ROHM Корпус: VMT3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
2SC2712-GR(TE85L,F Биполярный транзистор NPN 50В 0.15A 150мВт автомобильного применения 3-Pin S-Mini лента на катушке Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 0.15 А Мощность Макс.: 150 мВт
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
166 483 шт
Цена от:
от 0,46
2SC2712-GR.LF[T Биполярный транзистор Производитель: Toshiba Semiconductor Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 0.15 А Мощность Макс.: 150 мВт
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
166 483 шт
Цена от:
от 0,46
2SC4617TLQ Биполярный транзистор NPN 50В 0.15A SOT-416 Производитель: ROHM Корпус: EMT3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 180 МГц
2SC4726TLP TRANS NPN 11V 0.05A SOT-416 Производитель: ROHM Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 11 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 56 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3.2 ГГц
2SCR523MT2L TRANS NPN 50V 0.1A VMT3 Производитель: ROHM Корпус: VMT3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 350 МГц
BC846BWT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.15W Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
221 934 шт
Цена от:
от 0,85
BC847AT-7-F Транзистор биполярный NPN 45В 0.1A SOT523 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 110 @ 2mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC847AWT1G TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 110 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC847BT,115 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC847BT-7-F Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC847BWT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
16 349 шт
Цена от:
от 1,01
BC847CT-7-F TRANS NPN 45V 0.1A SOT-523 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC847CWT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.15Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
237 845 шт
Цена от:
от 0,99
BC847CWT3G Биполярный транзистор NPN 45В 0.1A SOT-323 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 @ 2mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
237 845 шт
Цена от:
от 0,99
BC848BWT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.42 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"