Одиночные биполярные транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (36)
2SB1197KT146Q Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 0.8 А Производитель: ROHM Корпус: SMT3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
Наличие:
405 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 7,53
Акция BCW31,215 Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0,1 А, 0.25 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 110 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
1 397 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1,26
Акция BCW60D,215 Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 380 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц
Наличие:
406 шт

Под заказ:
5 337 шт
Аналоги:
7 927 шт
Цена от:
от 1,10
BCW60DE6327HTSA1 Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.2 А, 0.33 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Мощность Макс.: 250 мВт
Наличие:
7 927 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 743 шт
Цена от:
от 7,55
Акция BCW61C,215 Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 0.1 А, 0.25Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
1 101 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1,38
2SB1132T100Q Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 1 А Производитель: ROHM Корпус: MPT3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
2 598 шт
Цена от:
от 16,05
2SC1741AS Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.5 А, 0.3 Вт Производитель: ROHM Корпус: TO92S Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 0.5 А Мощность Макс.: 0.3 Вт
Наличие:
251 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 10,30
BCW33,215 Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А, 0.25 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
6 723 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 4,07
BCW60C,215 Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А, 0.25Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц
Наличие:
768 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 3,52
2DD1766R-13 TRANS NPN 32V 2A SOT89-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 220 МГц
2SD1664T100Q TRANS NPN 32V 1A SOT-89 Производитель: ROHM Корпус: MPT3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
2SD1862 Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 2 А, 3 Вт Производитель: ROHM Корпус: TO-92MOD/formed Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 3 Вт
BCW29,215 Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BCW30,215 Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 215 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Акция BCW30LT1G Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 215 Тип монтажа: Поверхностный
BCW32,215 Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BCW32,235 Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Акция BCW32LT1G Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А, 0.25 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный
BCW33LT1G Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
6 723 шт
Цена от:
от 4,07
BCW33LT3G Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
6 723 шт
Цена от:
от 3,83
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.42 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"