Тиристоры (SCR) ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Тиристоры (SCR) (16)

2N5060G Тиристор 30В 0,8А 200мкА (Логический уровень) Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение закрытого состояния: 30В Напряжение управления (Vgt) (макс.): 800мВ Ток управления (Igt) (макс.): 200мкА Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max): 1.7В Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.): 510мА Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.): 800мА Ток удержания (Ih) (Макс.): 5мА Ток утечки (макс.): 10мкА Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm): 10А при 60Гц Тип тиристора: Повышенной чувствительности

Сообщить о поступлении

2N5060RLRAG Тиристор 30В 0,8А 200мкА (Логический уровень) Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение закрытого состояния: 30В Напряжение управления (Vgt) (макс.): 800мВ Ток управления (Igt) (макс.): 200мкА Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max): 1.7В Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.): 510мА Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.): 800мА Ток удержания (Ih) (Макс.): 5мА Ток утечки (макс.): 10мкА Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm): 10А при 60Гц Тип тиристора: Повышенной чувствительности

Сообщить о поступлении

2N5060RLRMG Тиристор 30В 0,8А 200мкА (Логический уровень) Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение закрытого состояния: 30В Напряжение управления (Vgt) (макс.): 800мВ Ток управления (Igt) (макс.): 200мкА Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max): 1.7В Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.): 510мА Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.): 800мА Ток удержания (Ih) (Макс.): 5мА Ток утечки (макс.): 10мкА Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm): 10А при 60Гц Тип тиристора: Повышенной чувствительности

Сообщить о поступлении

2N5061G Тиристор 60В 0,8А 200мкА (Логический уровень) Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение закрытого состояния: 60В Напряжение управления (Vgt) (макс.): 800мВ Ток управления (Igt) (макс.): 200мкА Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max): 1.7В Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.): 510мА Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.): 800мА Ток удержания (Ih) (Макс.): 5мА Ток утечки (макс.): 10мкА Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm): 10А при 60Гц Тип тиристора: Повышенной чувствительности

Сообщить о поступлении

2N5062G Тиристор 100В 0,8А 200мкА (Логический уровень) Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение закрытого состояния: 100В Напряжение управления (Vgt) (макс.): 800мВ Ток управления (Igt) (макс.): 200мкА Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max): 1.7В Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.): 510мА Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.): 800мА Ток удержания (Ih) (Макс.): 5мА Ток утечки (макс.): 10мкА Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm): 10А при 60Гц Тип тиристора: Повышенной чувствительности

Сообщить о поступлении

Акция

2N6027G Программируемый однопереходной транзистор, 40В 0.15А 50мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Сообщить о поступлении

MCR12DSMT4G Тиристор 600В 12А 200мкА (Логический уровень) Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение закрытого состояния: 600В Напряжение управления (Vgt) (макс.): 1В Ток управления (Igt) (макс.): 200мкА Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max): 1.9В Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.): 7.6А Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.): 12А Ток удержания (Ih) (Макс.): 6мА Ток утечки (макс.): 10мкА Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm): 100А при 60Гц Тип тиристора: Повышенной чувствительности

Сообщить о поступлении

MCR12DSNT4G Тиристор 800В 12А 200мкА (Логический уровень) Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение закрытого состояния: 800В Напряжение управления (Vgt) (макс.): 1В Ток управления (Igt) (макс.): 200мкА Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max): 1.9В Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.): 7.6А Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.): 12А Ток удержания (Ih) (Макс.): 6мА Ток утечки (макс.): 10мкА Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm): 100А при 60Гц Тип тиристора: Повышенной чувствительности

Сообщить о поступлении

MCR12MG Тиристор 600В 12А 20мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение закрытого состояния: 600В Напряжение управления (Vgt) (макс.): 1В Ток управления (Igt) (макс.): 20мА Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max): 2.2В Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.): 12А Ток удержания (Ih) (Макс.): 40мА Ток утечки (макс.): 10мкА Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm): 100А при 60Гц Тип тиристора: стандартный

Сообщить о поступлении

MCR16NG Тиристор 800В 16А 20мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение закрытого состояния: 800В Напряжение управления (Vgt) (макс.): 1В Ток управления (Igt) (макс.): 20мА Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max): 1.7В Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.): 16А Ток удержания (Ih) (Макс.): 40мА Ток утечки (макс.): 10мкА Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm): 160А при 60Гц Тип тиристора: стандартный

Сообщить о поступлении

MCR25NG Тиристор 800В 25А 30мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение закрытого состояния: 800В Напряжение управления (Vgt) (макс.): 1В Ток управления (Igt) (макс.): 30мА Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max): 1.8В Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.): 25А Ток удержания (Ih) (Макс.): 40мА Ток утечки (макс.): 10мкА Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm): 300А при 60Гц Тип тиристора: стандартный

Сообщить о поступлении

MCR718RL Тиристор 4A 600V Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

Новинка

MCR718T4 Тиристор 600В 4А 75мкА (Логический уровень) Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

MCR72-8G Тиристор 600В 8А 200мкА (Логический уровень) Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение закрытого состояния: 600В Напряжение управления (Vgt) (макс.): 1.5В Ток управления (Igt) (макс.): 200мкА Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max): 2В Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.): 8А Ток удержания (Ih) (Макс.): 6мА Ток утечки (макс.): 10мкА Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm): 100А при 60Гц Тип тиристора: Повышенной чувствительности

Сообщить о поступлении

MCR8DCMT4G Тиристор 600В 8А 15мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение закрытого состояния: 600В Напряжение управления (Vgt) (макс.): 1В Ток управления (Igt) (макс.): 15мА Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max): 1.8В Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.): 5.1А Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.): 8А Ток удержания (Ih) (Макс.): 30мА Ток утечки (макс.): 10мкА Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm): 80А при 60Гц Тип тиристора: стандартный

Сообщить о поступлении

MCR8DSMT4G Тиристор 600В 8А 200мкА (Логический уровень) Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение закрытого состояния: 600В Напряжение управления (Vgt) (макс.): 1В Ток управления (Igt) (макс.): 200мкА Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max): 1.8В Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.): 5.1А Ток открытого состояния импульсный (It (RMS)) (макс.): 8А Ток удержания (Ih) (Макс.): 6мА Ток утечки (макс.): 10мкА Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm): 90А при 60Гц Тип тиристора: Повышенной чувствительности

Сообщить о поступлении