Flash память Microchip Technology Inc.

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип памяти
Объем памяти
Быстродействие
Интерфейс
Напряжение питания
Flash память (96)
Акция SST26VF032B-104I/SM Флэш-память 32Mбит Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOIJ8 Тип памяти: FLASH Объем памяти: 32M (4M x 8) Быстродействие: 104MHz Интерфейс: SQI, SPI Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V
SST26VF032BT-104I/SM Флэш-память 32Mбит Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SO8W Объем памяти: 32Mb Напряжение питания: 3.6V
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
4 860 шт
Цена от:
от 19,08
SST26VF064B-104I/MF Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ (шина SPI, сдвоенная SPI, счетверенная SPI) питание 2.5В/3В/3.3В 64M-бит 64M/32M/16M x 1/2-бит/4-бит 8нс 8-Pin WDFN EP Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: WDFN8
SST26VF064B-104I/MN Флэш-память ячейки ИЛИ-НЕ (шина SPI, сдвоенная SPI, счетверенная SPI) электропитание 3.3В 64Мбит 8-Pin WDFN EP лоток Производитель: Microchip Technology Inc. Объем памяти: 64M-bit Напряжение питания: 3.3V
SST26VF064B-104I/SM Флэш-память 64Mбит Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOIJ8 Тип памяти: FLASH Объем памяти: 64M (8M x 8) Быстродействие: 104MHz Интерфейс: SQI, SPI Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V
Новинка SST26VF064B-104I/SM Производитель: Microchip Technology Inc.
SST26VF064B-104I/SO Флэш-память 64Mбит Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOIC16 Тип памяти: FLASH Объем памяти: 64M (8M x 8) Быстродействие: 104MHz Интерфейс: SQI, SPI Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V
SST26VF064B-104V/SM Флэш-память 64Mбит Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SO8W
SST26VF064BA-104I/SO Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ (шина SPI, сдвоенная SPI, счетверенная SPI) питание 2.5В/3В/3.3В 64M-бит 64M/32M/16M x 1/2-бит/4-бит 8нс 16-Pin SOIC W туба Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SO16W
SST26VF064BT-104I/SM Флэш-память 64Mбит Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOIJ8 Тип памяти: FLASH Объем памяти: 64M (8M x 8) Быстродействие: 104MHz Интерфейс: SQI, SPI Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V
SST26VF064BT-104I/SO IC FLASH 64MBIT Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOIC16
Новинка SST39LF040-45-4C-NHE Флэш-память 4Мбит 45нс 32PLCC Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: PLCC32 Тип памяти: FLASH Объем памяти: 4M (512K x 8) Быстродействие: 45ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V
Новинка SST39LF040-45-4C-NHE Производитель: Microchip Technology Inc.
SST39LF040-55-4C-NHE Флэш-память 4Мбит 55нс 32PLCC Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: PLCC32 Тип памяти: FLASH Объем памяти: 4M (512K x 8) Быстродействие: 55ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V
SST39SF010A-55-4C-NHE Флэш-память 1Мбит 55нс 32PLCC Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: PLCC32 Тип памяти: FLASH Объем памяти: 1M (128K x 8) Быстродействие: 55ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V
SST39SF010A-55-4I-NHE Флэш-память 1Мбит 55нс 32PLCC Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: PLCC32 Тип памяти: FLASH Объем памяти: 1M (128K x 8) Быстродействие: 55ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V
SST39SF010A-55-4I-WHE Флэш-память 1Мбит 55нс 32TSOP Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: TSOP32 Тип памяти: FLASH Объем памяти: 1M (128K x 8) Быстродействие: 55ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V
SST39SF010A-70-4C-NHE Флэш-память 1Мбит 70нс 32PLCC Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: PLCC32 Тип памяти: FLASH Объем памяти: 1M (128K x 8) Быстродействие: 70ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V
Акция SST39SF010A-70-4C-PHE Флэш-память 1Mбит 70нс 32DIP Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: DIP32 Тип памяти: FLASH Объем памяти: 1M (128K x 8) Быстродействие: 70ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V
SST39SF010A-70-4C-WHE Флэш-память 1Мбит 70нс 32TSOP Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: TSOP32 Тип памяти: FLASH Объем памяти: 1M (128K x 8) Быстродействие: 70ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V
На странице: